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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5P21045NR1
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
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AN1907: Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Plastic Packages
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AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
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AN3263: Bolt Down Mounting Method for High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages
Engineering Bulletins
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EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
April 2007
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Initial Release of Data Sheet
相关PDF资料
MRF5P21180HR6 MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230
MRF5P21240HR6 MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230
MRF5S19060MR1 MOSFET RF N-CH 28V 12W TO-270-4
MRF5S19060NBR1 MOSFET N-CH 12W 28V TO-272-4
MRF5S19090HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780S
MRF5S19100HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S
MRF5S19130HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 26W NI-880S
MRF5S19150HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S
相关代理商/技术参数
MRF5P21180 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF5P21180HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5P21180HR6 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5P21180HR6_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF5P21180R6 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF5P21240 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5P21240HR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5P21240HR6 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 52W NI-1230 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR